200℃用十年！Intel全新存储淘汰内存闪存

　　多年来，半导体行业的标准存储格局一直是DRAM内存+HDD机械硬盘/SSD固态硬盘，不过各家巨头也一直在探寻新的、更好的方案，比如Intel的傲腾，就致力于消弭内存与硬盘之间的鸿沟。

　　还有一种方案就是MRAM(磁阻式随机访问内存)，Intel、IBM、三星、海力士、东芝、TDK等大厂和一些创业企业都研究了好多年。现在，Intel宣布他们的MRAM已经准备好大规模量产了!

　　MRAM存储技术和NAND闪存类似是非易失性的，也就是断电后不会丢失数据，而写入速度可以达到NAND闪存的数千倍，建立时间(settling time)可以达到1纳秒，比目前DRAM内存的理论限制还要好，等于综合了RAM内存、NAND闪存的优点，可以兼做内存和硬盘。

　　同时很关键的是，它对制造工艺要求低，而且在传统DRAM工艺升级越来越难的情况下，MRAM却可以更轻松地更新，良品率也高得多，意味着成本可以得到更有效地控制。

　　Intel即将量产的MRAM就采用了很成熟的22nm FFL FinFET制造工艺，良品率居然超过了99.998%!对于一种很全新存储技术来说相当不可思议。

　　至于为何不用更新的14nm，可能是MRAM目前对新工艺不敏感，也可能是Intel 14nm工艺现在产能太紧张了，腾不出手来。

　　按照Intel给出的技术规格，这种MRAM的每个存储单元的面积为0.0486平方微米、容量7Mb，读取时间0.9V电压下4纳秒、0.8V电压下8纳秒，写入时间-40℃下也有10微秒，写入寿命不低于一百万。

　　寿命那是相当的长，标准耐受温度范围-40℃到125℃，而Intel工程师强调，即便放置在200℃高温下数据完整性也能保持10年之久。

　　不过，MRAM具体什么时间投入规模量产，用于何种产品之上，Intel尚未给出更详细的说明。